blanco 3x3m m de la farfulla de 99,5% 99,9% 99,95% Chrome 6x6m m para el material de la evaporación

Cilindro del cromo para la evaporación 99,5%, 99,9%, 99,95%

Principio de capa de la evaporación:

el proceso físico de la capa de la evaporación del transporte material de la evaporación a la deposición es como sigue:

1. Convierta toda clase de energía en energía térmica, caliente el material que platea para evaporarse o para sublimar, y para hacer partículas del gas (átomos, moléculas o grupos atómicos) con cierta energía (0.1-0.3ev);

2. Dejando la superficie del material que platea, las partículas gaseosas con considerable velocidad se transportan a la superficie del substrato en básicamente un vuelo linear libre de la colisión;

3. Las películas de la fase sólida son formadas por la condensación de partículas gaseosas en la superficie del substrato;

4. Se cambian o químicamente se enlazan los átomos que componen la película.

Hay muchas clases de materiales de revestimiento de la evaporación. Actualmente, hay centenares de ellos se utiliza principalmente en el mercado. El proceso de producción incluye principalmente: Cristal que machaca, machacando de fusión, trefilado, corte del alambre, granulación, pulverizando, el presionar de la tableta, lanzamiento, moldeado, etc. La forma del producto incluye principalmente: barra de alambre, polvo, partícula irregular, pequeño cilindro, pequeña bola, cono

Los productos principales son:

como sigue: (las partículas, los bloques y los polvos pueden ser modificados para requisitos particulares) las partículas de aluminio 99,99% 3 * 3m m; 99,999% partículas de cobre 3 * de 3m m 99,99% 3 * 3m m; 99,999% partículas del hierro 3 * de 3m m 99,9% partículas del titanio de 2 * de 3m m 99,999% partículas del vanadio 6 * de 6m m 99,9% partículas del níquel de 3 * de 3m m 99,999% partículas del cromo 6 * de 6m m 99,95% partículas del cobalto de 3-5m m 99,95% partículas del manganeso de 2-8m m 99,8% partículas del bario de 1-10 milímetros 99,6% partículas del calcio de los 2-6cm (como deoxidizer) 99,5% partículas del tungsteno de 1-3m m (utilizado como deoxidizer) 99,95% partículas del niobio de 6 * de 6m m 99,95% partículas del molibdeno 6 * de 6m m 99,95% partículas del tantalio de 6 * de 6m m 99,95% partículas del circonio 6 * de 6m m 99,5% 1,6 * 5m m; 99,95% barras cristalinas del hafnio de 2,4 * de 5m m 99,9% partículas 99,9% del hafnio de d21mm.

Al del aluminio de la pureza elevada, Cu del cobre de la pureza elevada, Ti del titanio de la pureza elevada, silicio Si de la pureza elevada, Au del oro de la pureza elevada, AG de plata de la pureza elevada, indio de la pureza elevada adentro, magnesio del magnesio de la pureza elevada, Zn del cinc de la pureza elevada, platino pinta de la pureza elevada, germanio GE de la pureza elevada, Ni del níquel de la pureza elevada, tantalio TA de la pureza elevada, aleación Auge del germanio del oro, auni de la aleación de níquel del oro, aleación NiCr del cromo del níquel, aleación de aluminio del titanio TiAl, cuinga de cobre de la aleación del galio del indio, aleación de cobre CuInGaSe del selenio del galio del indio, aleación de aluminio del cinc ZnAl, aleación de aluminio AlSi del silicio y otros materiales de revestimiento del metal.

Teoría de la nucleación y del crecimiento de los materiales de la película fina

1. El proceso espontáneo de la nucleación de la nucleación es conducido por la energía libre de la transición de fase.

2. Nucleación no espontánea - además de la fuerza impulsora de la energía libre de la transición de fase, hay otros factores para ayudar a la formación de nuevos corazones de la fase.

3. Modelo de banda cristalino del crecimiento de película

Hay tres procesos de la deposición del átomo: deposición o adsorción del átomo del vapor, difusión superficial y difusión a granel.

La formación de la estructura de la película está estrechamente vinculada a los TS/TM de la temperatura del substrato y a la energía de los átomos depositados. Los TS son la temperatura del substrato y TM es el punto de fusión del material depositado.