Substrato de cobre de la oblea de los productos del molibdeno con alta conductividad termal
Datos del producto:
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Lugar de origen: | China |
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Nombre de la marca: | JINXING |
Certificación: | ISO 9001 |
Número de modelo: | Ion Implanting Molybdenum Products |
Pago y Envío Términos:
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Cantidad de orden mínima: | 15 KILOGRAMOS |
Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | cajas de la madera contrachapada |
Tiempo de entrega: | 15-20 días |
Condiciones de pago: | L/C, T/T, D/P, Western Union |
Capacidad de la fuente: | 2000 kilogramos por mes |
Información detallada |
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Nombre de producto: | Ion Implanting Molybdenum Products | Grado: | Mo1 |
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Densidad: | 10,2 G/cm3 | Pureza: | >el =99.95% |
Resistencia a la tensión: | >MPa 320 | Alargamiento: | <21> |
Estándar: | ASTM B387-2010 | Uso: | Industria del semiconductor |
Alta luz: | Ion Implanting Molybdenum Products,99,95% productos del molibdeno |
Descripción de producto
Ion Implanting Molybdenum Products es una tecnología del haz de ion que ioniza los átomos de un elemento en los iones, los acelera en un voltaje de diez a los centenares de kilovoltio, y lo inyecta en la superficie del material del objeto puesta en cámara de la blanco del vacío después de obtener velocidad.
Después de la implantación de ion, las propiedades de la comprobación, químicas y mecánicas de la superficie del material cambiarán perceptiblemente. La resistencia de desgaste continua de la superficie de metal puede alcanzar 2 ~ 3 órdenes de magnitud de la profundidad inicial de la implantación.
ESPECIFICACIÓN Y COMPOSICIONES QUÍMICAS (NOMINALES)
Material | Tipo | Composición química (por peso) |
Moly puro | Mo1 | >99.95%min. MES |
Aleación Ti-Zr-MES | TZM | Zr/0,01 - el 0,04% C del Ti/el 0,08% del 0,5% |
MES-Hf-c | MHC | Hf/0,05 - el 0,12% C del 1,2% |
Renio de Moly | Más | El 5,0% re |
Tungsteno de Moly | MoW20 | El 20,0% W |
Tungsteno de Moly | MoW505 | El 0,0% W |
(1) es una tecnología no contaminante pura del tratamiento superficial;
(2) no necesita la activación termal y el ambiente de alta temperatura, así que no cambiará la dimensión total y el final superficial del objeto;
(3) la capa de la implantación de ion es una nueva capa superficial formada por una serie de interacciones físicas y químicas entre el haz de ion y la superficie del substrato, y no hay problema de peladura entre él y el substrato;
(4) allí no es ninguna necesidad de trabajar a máquina y del tratamiento térmico después de implantación de ion.
En tecnología de semiconductor, la implantación de ion tiene uniformidad y repetibilidad de alta precisión de la dosis. Puede obtener la concentración y la integración de doping ideales, para mejorar grandemente la vida de la integración, de la velocidad, de la producción y de servicio del circuito, y reduce el consumo del coste y de energía. Esto es diferente de la deposición de vapor químico.
Para obtener parámetros ideales, tales como espesor del film y densidad, la deposición de vapor químico necesita ajustar el equipo que fija parámetros, tales como temperatura y flujo de aire, que es un proceso complejo.
Además de la industria de la producción del semiconductor, con el desarrollo rápido de la automatización de control industrial, la tecnología de la implantación de ion es también ampliamente utilizada en la mejora de metales, de la cerámica, del vidrio, de compuestos, de polímeros, de minerales y de semillas de la planta.
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