ASTM Mo Molybdenum Ion Implanting Part para la industria del semiconductor

Descripción de producto

Precio 2022 de Ion Implanting Part With Good del molibdeno

El molibdeno Ion Implanting Part es una tecnología muy importante en la fabricación moderna del circuito integrado. Utiliza una máquina de la implantación de ion para realizar el doping de semiconductores, es decir, usando el alambre de tungsteno como cátodo para emitir electrones para bombardear las moléculas del gas que contienen elementos específicos de la impureza, e ionizó los átomos específicos de la impureza se produce. Después de ser acelerada por el campo electrostático, golpean la superficie de la sola oblea cristalina del silicio, y entran en el semiconductor, cambiar las características conductoras y finalmente formar una estructura del transistor.

Cuando la fuente de ion se convierte en el plasmaMolybdenum Ion Implanting Part, producirá una temperatura de trabajo más del ℃ de 2000. Cuando el haz de ion entra en erupción, también producirá mucha energía cinética del ion, y el metal general quemará rápidamente. Por lo tanto, los metales inertes con alta densidad total son necesarios mantener la dirección de la erupción del haz de ion y aumentar la durabilidad de componentes. El tungsteno y el molibdeno son los materiales necesarios. Debido a las ventajas de los materiales del molibdeno del tungsteno, tales como propiedades químicas das alta temperatura estables, la pequeña deformación termal y la vida de servicio larga, la fuente de ion y las piezas del consumo de implanters del ion en la industria del semiconductor se hacen sobre todo de los materiales del tungsteno y del molibdeno. Estos dispositivos incluyen el cilindro que protege del cátodo de la emisión de electrón, del panel de la emisión, de la barra fija central, de la placa del electrodo del alambre en la cámara del arco, de los etc., que se refieren colectivamente como piezas del tungsteno para las piezas de la implantación y del molibdeno de ion para la implantación de ion.

Molibdeno Ion Implanting Part Picture: